Структурные, магнитные и электрические характеристики La – Sr манганитов
в зависимости от электронной конфигурации заместителей марганца и содержания кислорода
В. К. Карпасюк, А. Г. Баделин, Д. И. Меркулов, С. Х. Эстемирова
Синтезированы манганиты La0,7Sr0,3Mn0,9Fe0,05Me0,05O3+γ (Me = Sc, Co) с различным содержанием кислорода (γ < 0, γ = 0, γ > 0). Получение соответствующих значений γ достигали отжигом спеченных образцов при различном давлении кислорода: 10–8, 10–1 и 105 Па, соответственно. Все синтезированные манганиты имеют ромбоэдрическую структуру и характеризуются небольшой величиной микроискажений, что связано с образованием модулированных структур. Микроструктура образцов достаточно плотная, со средним диаметром кристаллитов 3,9 ± 1,6 мкм у скандий-содержащего манганита и 3,1 ± 1,3 мкм у (Fe,Co)-замещенного манганита. Параметры элементарной ячейки и электромагнитные характеристики последнего свидетельствуют о присутствии в его составе ионов Co3+(3d6). (Fe,Sc)-содержащие манганиты обладают более низкими значениями намагниченности и точки Кюри, а также существенно более низкой температурой перехода металл – полупроводник, по сравнению с содержащими железо и кобальт. Вольт-амперные характеристики (ВАХ) манганитов La0,7Sr0,3Mn0,9Fe0,05Sc0,05O3+γ и La0,7Sr0,3Mn0,9Fe0,05Со0,05O3+γ с отрицательным отклонением от стехиометрии по кислороду и стехиометрических в определенных диапазонах температур проявляют отрицательное дифференциальное сопротивление S-типа, причем ВАХ (Fe,Co)-замещенного манганита в магнитном поле содержат два S-образных участка. Определены пороговые поля переключения и максимальные значения модуля отрицательного дифференциального сопротивления ВАХ при разных температурах. (Fe,Sc)-замещенный манганит с избыточным содержанием кислорода при 190 – 200 К проявляет эффект стабилизации напряжения. ВАХ (Fe,Со)-замещенного манганита, отожженного в кислороде, не содержат участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Рассмотрены механизмы формирования ВАХ различного типа.
Ключевые слова: заместители марганца, электронные оболочки, нестехиометрия, микроструктура, намагниченность, точка Кюри, переход металл-полупроводник, типы вольт-амперных характеристик, отрицательное дифференциальное сопротивление.
DOI: 10.30791/1028-978X-2025-6-46-55
Карпасюк Владимир Корнильевич — Астраханский государственный университет им. В.Н. Татищева (414056 Астрахань, ул. Татищева, 20а), доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник, специалист в области физики магнитных материалов, полупроводников и диэлектриков. E-mail: vkarpasyuk@mail.ru.
Баделин Алексей Геннадьевич — Астраханский государственный университет им. В.Н. Татищева (414056 Астрахань, ул. Татищева, 20а), кандидат физико-математических наук, ведущий научный сотрудник, специалист в области физики конденсированного состояния и технологии керамических материалов. E-mail: alexey_badelin@mail.ru.
Меркулов Денис Иювинальевич — Астраханский государственный университет им. В.Н. Татищева (414056 Астрахань, ул. Татищева, 20а), кандидат физико-математических наук, доцент, специалист в области физики конденсированного состояния, материаловедения полупроводников и диэлектриков. E-mail: merkul_d@mail.ru.
Эстемирова Светлана Хусаиновна — Институт металлургии УрО РАН (620016 Екатеринбург, ул. Амундсена, 101), кандидат химических наук, старший научный сотрудник, специалист в области химии твердого тела и рентгеноструктурного анализа. E-mail: esveta100@mail.ru.
Ссылка на статью:
Карпасюк В.К., Баделин А.Г., Меркулов Д.И., Эстемирова С.Х. Структурные, магнитные и электрические характеристики La – Sr манганитов в зависимости от электронной конфигурации заместителей марганца и содержания кислорода. Перспективные материалы, 2025, № 6, с. 46 – 55. DOI: 10.30791/1028-978X-2025-6-46-55